Флеш память usb это

Флеш память usb это

  • Флеш-накопители имеют самую разнообразную форму. Тем не менее, по стандарту символ USB могут нести только те из них, которые не загораживают соседний USB-порт.

В искусстве

См. также

USB-флеш-накопитель на Викискладе ?
  • Флеш-память

Ссылки

Примечания

Прочее

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое "USB-флеш-накопитель" в других словарях:

USB флеш-накопитель — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Seitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флеш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель … Википедия

USB флэш-накопитель — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Saitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флэш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель … Википедия

USB-накопитель — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Saitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флеш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель «защита от записи»; 8 место для… … Википедия

USB flash drive — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Saitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флеш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель «защита от записи»; 8 место для… … Википедия

USB-flash — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Saitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флеш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель «защита от записи»; 8 место для… … Википедия

USB Flash Drive — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Saitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флеш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель «защита от записи»; 8 место для… … Википедия

USB flash — Устройство типичного USB Flash Drive (на примере изделия фирмы «Saitek»: 1 USB разъём; 2 микроконтроллер; 3 контрольные точки; 4 микросхема флеш памяти; 5 кварцевый резонатор; 6 светодиод; 7 переключатель «защита от записи»; 8 место для… … Википедия

Флеш-память — Не следует путать с картами памяти. Не следует путать с USB флеш накопителями. У этого термина существуют и другие значения, см. Флеш. Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из… … Википедия

Флеш память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory) разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… … Википедия

Накопитель на гибких дисках — Не следует путать с НДМГ компонентом ракетного топлива. Накопитель на гибких дисках (англ. … Википедия

В этой статье мы с Вами поговорим о том, что положено в основу создания и по какому принципу работает устройство флэш-памяти (не путайте с USB флэш-накопителями и картами памяти). Кроме этого, вы узнаете о ее преимуществах и недостатках перед другими типами ПЗУ (постоянно запоминающими устройствами) и познакомитесь с ассортиментом самых распространенных накопителей, которые содержат в себе флэш-память.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимое и ему не нужно электричество для хранения данных. Всю хранящуюся информацию во флэш-памяти можно считать бесконечное количество раз, а вот количество полных циклов записи к сожалению ограничено.

Флэш-память (flash memory) — относится к полупроводникам электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Благодаря техническим решениям, не высокой стоимости, большому объему, низкому энергопотреблению, высокой скорости работы, компактности и механической прочности, флэш-память встраивают в цифровые портативные устройства и носители информации.

У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.

Тип ПЗУ Преимущества Недостатки Жесткий диск Большой объем хранимой информации.

Высокая скорость работы.

Дешевизна хранения данных (в расчете на 1 Мбайт).

Чувствительность к вибрации.

Оптический диск Удобство транспортировки.

Дешевизна хранения информации.

Нужно считывающее устройство.

Ограничения при операциях (чтение, запись).

Невысокая скорость работы.

Чувствительность к вибрации.

Флэш-память Высокая скорость доступа к данным.

Устойчивость к вибрациям.

Удобство подключения к компьютеру.

Ограниченное количество циклов записи.

Сегодня никто не сомневается в том, что флэш-память будет продолжать укреплять свои позиции в информационных технологиях, особенно в линейке мобильных устройств (КПК, планшеты, смартфоны, плееры). На основе флэш-памяти работают самые востребованные и популярные USB флэш-накопители и сменные карты памяти для электронных устройств (SD, MMC, miniSD…).

Карты памяти, как и USB накопители не стоят в стороне, а привлекают внимание потенциальных покупателей своим многообразием. От такого изобилия запоминающих устройств выигрывает только производитель, а потребитель испытывает ряд неудобств. Ведь всем нам знакомы такие ситуации, когда телефону нужна одна карта, КПК другая, фотоаппарату третья. Такой ассортимент накопителей на руку производителям, потому что они извлекают из широкой эксклюзивной продажи большую выгоду. Вот небольшой список распространенных накопителей с флэш-памятью:

  • Compact Flash Type I (CF I)/Type II (CF II);
  • Memory Styck (MS Pro, MS Duo);
  • Secure Digital (SD);
  • miniSD;
  • xD-Picture Card (xD);
  • MultiMedia Card (MMC).
  • USB Flash Drive.

В одной из публикаций я писал о том как выбрать USB-флеш-накопитель, а о том как выбрать карту в формате SD (microSD, miniSD) читайте здесь.

Принцип работы флэш-памяти.

Элементарной ячейка хранения данных флэш-памяти представляет из себя транзистор с плавающим затвором. Особенность такого транзистора в том, что он умеет удерживать электроны (заряд). Вот на его основе и разработаны основные типы флэш-памяти NAND и NOR. Конкуренции между ними нет, потому что каждый из типов обладает своим преимуществом и недостатком. Кстати, на их основе строят гибридные версии такие как DiNOR и superAND.

Во флэш-памяти производители используют два типа ячеек памяти MLC и SLC.

  • Флэш-память с MLC (Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
  • Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.

Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя транзисторами…

Ячейка памяти с одним транзистором.

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор. Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой.

Читайте также:  Рейтинг синтезаторов для дома

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Поместить заряд на плавающий затвор (процесс записи) можно методом инжекции горячих электронов (CHE-Channel Hot Electrons) или методом туннелирования Фаулера-Нордхейма.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера — Нордхейма (Fowler — Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти. Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line). В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Ячейка памяти с двумя транзисторами.

Двухтранзисторная ячейка памяти, это модифицированная однотранзисторная ячейка, в которой находится обычный КМОП-транзистор и транзистор с плавающим затвором. В этой структуре обычный транзистор выполняет роль изолятора транзистора с плавающим затвором от битовой линии.

Имеет ли преимущества двухтранзисторная ячейка памяти? Да, ведь с ее помощью можно создавать более компактные и хорошо масштабируемые микросхемы памяти, потому что здесь транзистор с плавающим затвором изолируется от битовой линии. Ко всему прочему, в отличии от однотранзисторной ячейки памяти, где информация записывается методом инжекции горячих электронов, в двухтранзисторной ячейки памяти для записи и стирания информации используется метод квантового туннелирования Фаулера — Нордхейма. Такой подход дает возможность снизить напряжение, которое необходимо для операции записи. Забегая наперед скажу, что двухтранзисторные ячейки применяются в памяти со структурой NAND.

Устройство флэш-памяти с архитектурой NOR.

Тип этой памяти является источником и неким толчком в развитии всей EEPROM. Ее архитектура была разработана компанией Intel в далеком 1988 году. Как было написано ранее, чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор.

Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line).

Архитектура NOR получила название благодаря логической операции ИЛИ — НЕ (в переводе с английского NOR). Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами (данные, аргумент операции…) дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях.

В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае , когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется.

Структура шести ячеек NOR Flash

Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода. Это могут быть телефоны, КПК, BIOS системных плат…

Устройство флэш-памяти с архитектурой NAND.

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях , которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях.

Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера — Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND. Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации. В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.

Структура одного столбца NAND Flash

В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx. Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость. В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Чтобы более детально донести до Вас всю необходимую информацию я разместил видео ролик по теме.

P.S. Объяснить простым языком технический материал людям которые не представляют как построена архитектура компьютера… очень сложно, но я надеюсь у меня это получилось. Для полной и достоверной информации в этой статье я частично использовал учебную литературу. Надеюсь эта статья была для вас полезной и познавательной. Пока!

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

25 декабря 2018

В этой статье мы разберём особенности современных флэшек, а заодно выберем наиболее жизнеспособные. Краткое лирическое отступление: я пишу «флэшка» через «э», поскольку flash – радость гиков, а flesh – каннибалов. И да простит меня Владимир Владимирович (Лопатин, а не тот, о ком вы подумали)!

Читайте также:  Процессоры для ноутбуков как выбрать

Вечная память

В прошлой статье «Dead Flash» мы уже разбирали проблему низкой надёжности карточек флэш-памяти и постепенное падение их качества. Давайте посмотрим под тем же углом на USB-Flash накопители.

Наверняка при слове «надёжность» вы вспоминаете флэшки выживальщиков. Брутальные девайсы из стали и резины, которые в рекламе топят, бьют молотком и давят машинами, а им хоть бы что. Вот только реальные показатели надёжности не имеют ничего общего с этими издевательствами. Вы нырять с флэшкой собираетесь? Гвозди ей забивать? Пускать поезда под откос?

Обрезиненный корпус создаёт эффект термоса, приводя к перегреву контроллера. Часто внутри не оказывается никаких рёбер жёсткости, поэтому резиновая флэшка хоть и выдерживает приличное давление, на удивление легко ломается при изгибе. Получается эдакий закрытый перелом: достаточно положить её в задний карман джинс, или бросить в наружное отделение сумки, где её от души помнут в час пик.

Металлический корпус хорош всем, кроме сложностей при ремонте. Его сложно вскрыть, чтобы добраться до электроники и попытаться спасти ваши файлы. Так что, металл – рулит, но не стоит гнаться за «гантелями». Флэшка в качественной пластиковой оболочке может оказаться даже более рациональным вариантом.

Говоря о долговечности флэшки, обычно имеют в виду два принципиально разных сценария: её смерть от несчастного случая и естественный износ. Проще всего оценить механическую прочность, защиту от пыли и влаги. Чуть сложнее – от воздействия высоких температур. Производители ещё указывают защиту от магнитных полей и рентгеновского излучения, но я до сих пор сомневаюсь, что два последних показателя имеют практический смысл.

Проблемы с электрической частью – одна из частых причин нестабильной работы или повреждения флэшки. На пятивольтовой шине компьютера может оказаться недопустимое напряжение (особенно у любителей моддинга и дешёвых блоков питания), а на самостоятельно подключённых USB-портах бывает перепутана полярность. Поэтому старые флэшки имели на борту солидный блок электроники, включающий в себя кварцевый генератор опорной частоты, стабилитрон и диоды Шоттки для защиты от обратной полярности.

Кварцевый генератор опорной частоты

Современные флэшки изготавливаются по упрощённой схемотехнике (особенно монолитные, на которых вся нехитрая электронная обвязка расположена прямо на чипе памяти). У них нет надёжной защиты от повышенного напряжения и переполюсовки, что снижает их живучесть.

После того, как несколько новых флэшек сгорели в кривых портах, я стал использовать для подключения к чужим компьютерам старую Transcend V20. Она не блещет характеристиками, но при наличии проблем с питанием просто отключается, а все данные остаются нетронутыми.

Критерии долговечности

Вне экстремальных условий длительность беспроблемного использования флэшки определяется её ресурсом перезаписи, однако он плохо поддаётся экспресс-оценке. Много лет назад всё было просто: хочешь живучую флэшку – берёшь на SLC-чипах в ущерб объёму и цене. Нужно побольше и подешевле – покупай с MLC-чипами, а TLC – дешёвая дрянь для одноразовых затычек USB-портов.

Не обязательно вскрывать флэшку, чтобы узнать, какие чипы памяти и контроллер стоят внутри неё. Воспользуйтесь бесплатной программой Flash Drive Information Extractor. Вот пример определения в ней флэшки Samsung BAR (см. скриншот ниже).

Определяем начинку неразборной флэшки

Сегодня в подавляющем большинстве флэшек используются как раз планарные (2D) модули TLC NAND высокой плотности. Такие хранят 3 бита на ячейку и когда-то считались абсолютным злом, но сейчас им практически не осталось альтернативы. Хорошая новость в том, что изначально низкий ресурс TLC-чипов на уровне 1000 P/E циклов научились продлять за счёт интеллектуальных функций контроллера.

В разных моделях он регулирует износ определённых блоков, подбирает нужное напряжение для чтения/записи каждого из них, применяет алгоритмы кэширования и внутреннего сжатия, заменяет повреждённые блоки резервными и т.д. Конечно, это не настолько интеллектуальные микросхемы, как в SSD корпоративного класса, но и не такие примитивные, как были на заре TLC-памяти, когда её ругали только за сам факт существования.

В основном планарные чипы TLC NAND производят SanDisk и Toshiba, называя этот класс памяти eD3 . У Intel и Micron ставка на 3D-компоновку чипов, а у Samsung трёхмерные (многослойные) чипы называются V-NAND. Поэтому TLC 3D NAND от Micron и TLC V-NAND от Samsung – это не планарная TLC, а принципиально другая память.

По факту у неё не больше проблем с быстрым износом, чем у MLС-чипов нового поколения, особенно если она управляется умным контроллером. Например, Dell выпускает промышленные SSD-накопители серии Mainstream Read-Intensive на трёхмерных модулях TLC (контрактное производство Samsung).

Единичные модели флэшек всё ещё выпускаются с изначально более живучими и менее требовательными к контроллеру MLC-чипами, однако из-за уменьшения техпроцесса их надёжность уже вплотную приблизилась к показателям TLC-чипов. Очень условно можно считать, что сейчас они обладают вдвое большим ресурсом (а лет пять назад мы бы сказали, что он больше минимум втрое). В целом всё зависит от контроллера и режима использования.

Самые надёжные чипы SLC NAND можно встретить только в сегменте специализированных решений уровня industrial/enterprise. Есть ещё вариант SuperMLC – использование части MLC-чипов в режиме SLC. Так повышается уверенность чтения/записи ценой потери объёма.

Особенности производителей

На первый взгляд, напрашивается логичный вывод: выбирать флэшки из ассортимента тех производителей, которые сами выпускают чипы NAND Flash и брать с MLC NAND. Однако не всё так просто.

Вы видели в продаже флэшки от Intel, снова отделившейся от неё Micron, её сингапурской дочки SpecTek или швейцарской Numonyx? Может быть, вам попадались флэшки южнокорейской SK Hynix, или тайваньской Powerchip Technology?

Конечно нет, если только это не перемаркированные промо-девайсы. Флэшки собственного производства сейчас остались у Samsung, Toshiba и SanDisk. Остальные не занимаются такой мелочью, а поставляют чипы разным компаниям, которые уже и делают конечный продукт.

К примеру, у Samsung есть фирменный накопитель Flash Drive BAR с интерфейсом USB 3.0. Он очень надёжный механически, так как выполнен в металлическом корпусе и имеет жёстко фиксированный разъём. Однако внутри установлена память Samsung TLC NAND с небольшим ресурсом перезаписи.

Toshiba выпускала интересную флэшку TransMemory-EX, в которой использовались собственные чипы MLC-8K, а теперь развивает другие серии TransMemory, в которых использует собственную память TLC NAND и контроллеры от Phison или SSS – как повезёт. У большинства моделей скорость чтения близка к таковой для Samsung BAR, последовательная запись чуть медленнее, а вот на блоках по 4 Кб она падает почти до нуля (от 0,001 до 0,03 Мб/с). Короче, новые флэшки от Toshiba не для работы с мелкими файлами.

SanDisk выпускает очень шуструю флэшку Extreme PRO с MLC-памятью и контроллером уровня SSD. Её скорости сравнимы с таковыми у твердотельных накопителей, а цена даже выше. Недостатки тоже существенные: доступно всего два варианта (128 и 256 Гб). В работе (особенно в режиме совместимости на портах USB 2.0) отмечается сильный перегрев и отключение накопителя прямо во время чтения/записи. Прочность металлического корпуса скрадывается выдвижным разъёмом, который легко сломать.

Любопытный казус: TransMemory-EX U382 и SanDisk Connect – вовсе не флэшки. Это картридеры с намертво запаянными в них карточками microSD собственного производства.

Среди производителей первой линии выбор оказался небольшой. Обратимся ко второй, тем более, что у них порой получаются очень достойные модели.

Читайте также:  Как замаскироваться под девушку

Рекомендованные модели

Вот редкие флэшки с MLC-памятью:

Эти модели продаются во всех крупных магазинах. Когда в своё время выбирал из них, остановился на JF 780 и JF 750. Последняя препарирована ниже на фото.

Transcend JF 750 32 Гб

Модуль памяти в 32-гигабайтной модели один, и на нём читается маркировка TDGMM9W-0S03. Это просто перемаркированный в Transcend чип Micron MLC 16 нм. Контроллер предсказуемо одноканальный – SM3267. Мы ещё встретим его у Samsung и других производителей.

Для действительно важных файлов я бы рекомендовал использовать флэшки промышленного класса. Например, Transcend JF170 с чипами SLC объёмом до 2 Гб и старым интерфейсом USB 2.0 или Transcend JF740K с памятью SuperMLC, более новым USB 3.0 и объёмом до 32 Гб – смотря сколько у вас данных.

Также стоит обратить внимание на промышленную серию Silicon Power.

К слову, у меня до сих пор жива флэшка потребительского класса Transcend V185 с SLC NAND 4 Гб. Ей уже лет 12, и она проводила на покой множество других моделей – более новых, скоростных и ёмких, но короткоживущих. Просто её ресурс в 100 тысяч циклов перезаписи сложно выработать за время жизни, даже запуская с неё портейбл-программы.

Скоростные характеристики

Реальные показатели быстродействия флэшек вы не найдёте в их описании. На коробке будут красоваться невнятные «up to 5 Gbps!» и графики в попугаях. К примеру, флэшки Kingston HyperX Savage c контроллером Phison PS2251-08 и памятью Toshiba MLC позиционируются как очень быстрые. Заявленная скорость под 350 Мб/с действительно наблюдается у старшей модели, но буквально на несколько секунд, и только в режиме последовательного чтения.

При копировании файлов с неё (а также многих других моделей с USB 3.x) поначалу радует быстрый старт. Однако ближе к концу операции они резко сбавляют темп, а то и вовсе надолго замирают на отметке 99%. Весь фокус оказывается в быстром кэшировании, а средняя скорость чтения – в разы ниже максимальной. Дополнительным фактором снижения скорости служит перегрев контроллера и чтение/запись мелких файлов – флэшка не оптимизирована для работы с ними.

В младших моделях Samsung BAR используется уже знакомый нам одноканальный контроллер Silicon Motion SM3267, что отрицательно сказывается на скорости. Если при чтении она радует пиковыми скоростями выше 140 Мб/с, то линейная запись не дотягивает и до 20 Мб/с, а на блоках по 4 килобайта и вовсе падает до 0,5 Мб/с. Впрочем, это ещё неплохой результат по сравнению с аналогами. К тому же, в обновлённой модели BAR Plus данный недостаток исправили, доведя запись 4-килобайтными блоками до 15 Мб/с.

Конечно, приятные исключения встречаются, но это ёмкие (от 64 Гб) флэшки, которые стоят дороже SSD аналогичной ёмкости. Привязка к объёму здесь не случайна. Высокие скорости подразумевают использование многоканального режима – параллельной работы контроллера с двумя и более чипами NAND Flash.

Особенность современного производства в том, что даже одна модель флэшек может выпускаться с разной начинкой. Например, почти все модели новых флэшек объёмом до 32 Гб включительно используют одноканальный контроллер, поскольку в них установлен всего один модуль памяти. В более ёмкие (от 64 Гб) флэшки той же серии ставят уже многоканальные контроллеры – шустрые, но горячие.

Здесь мог быть второй чип памяти или ваша реклама

Серьёзные производители сейчас указывают разные скорости для флэшек одной серии. Можно проследить, как они увеличиваются соответственно объёму (и числу задействованных у контроллера каналов). Остальные ограничиваются общей характеристикой серии, или вовсе указывают теоретический предел интерфейса USB соответствующей версии.

Обратите внимание, что USB 3.1 Gen 1 = USB 3.0 ≤ 5 Гбит/с. Ситуация такая же, как была в своё время с USB 2.0 Full Speed и USB 1.1 (оба имели потолок в 12 Мбит/с). Если хотите больше – ищите USB 3.1 Gen 2. Впрочем, для флэшек это совершенно неактуально. Это же не SSD, и 10 Гбит/с для них такая же недостижимая планка, как и 5 Гбит/с.

Выбор модели ёмкостью от 64 гигабайт в какой-то мере гарантирует приемлемую скорость, однако на ней уже будет файловая система exFAT, которую поддерживают далеко не все устройства. Флэшки с универсальной FAT32 встречаются только до 32 гигабайт.

Изменение приоритетов

В последние годы изменилось назначение USB-Flash. Раньше с их помощью передавали файлы с одного компа на другой, записывали портейбл-софт и превращали в мультизагрузочные сборки. Сейчас эти сценарии ушли на второй план, а флэшки преимущественно используют для освобождения встроенной памяти смартфонов и планшетов, поскольку всё остальное (при быстром коннекте) удобнее делать по сети.

Постепенно главными для массового потребителя стали иные характеристики флэшек: наличие разъёмов для подключения к смартфону без переходников (Micro-USB, USB Type-C и Lightning), компактность и стоимость за гигабайт.

Производителям ничего не оставалось, как выбросить на рынок кучу однообразных поделок, отличающихся только дизайном. Внутри большинства современных флэшек вы найдёте дешёвый чип TLC NAND и примитивный контроллер, который редко успевает отслеживать износ ячеек и заменять их резервными (если вообще умеет это делать).

Среди всего этого безобразия всё равно приходится что-то выбирать, поэтому для мобильных устройств я бы рекомендовал SanDisk Ultra Dual Drive m3.0 с разъёмом USB MicroB On-The-Go, Kingston DataTraveler microDuo 3C с разъёмом USB Type C и Transcend JetDrive Go 300 с разъёмом Lightning.

Куда делся объём?

Часто в отзывах попадаются возмущённые комментарии о т ом, что вместо 16 Гб на флэшке оказалось всего 15, а вместо 32 Гб – только 30. Причина кроется в разных единицах измерения. Производители считают в десятичной системе счисления, называя гигабайтом 10⁹ байт, а пользователи привыкли к двоичной, полагая, что гигабайт – 2³⁰ байт. Эта разница растёт с увеличением объёма.

К тому же, на флэшках выделяется резервная область для замены контроллером изношенных блоков, которая отъедает ещё процент-другой ёмкости. Дополнительные потери объёма возможны при форматировании с большим размером кластера. Это удобно для быстрого копирования крупных файлов (например, фильмов), но каждый мелкий файл будет съедать больше места, чем фактически занимает. Просто потому, что один кластер не может быть адресован двум разным файлам.

Доступный объём флэшки

Выводы

Согласно теории Джорджа Акерлофа (за которую в 2001 году он получил Нобелевскую премию по экономике), если продавцы знают о товаре больше, чем покупатели, то плохие товары вытесняют хорошие вплоть до полного исчезновения последних с рынка.

В российских реалиях всё ещё хуже: о свойствах товара не знают ни покупатели, ни продавцы. Описания в интернет-магазинах сводятся к дублированию скудной информации от производителя (хорошо, если ещё скопируют без ошибок) и отзывам от неофитов, которые из-за эффекта Даннинга — Крюгера уже считают себя экспертами.

В итоге качественные продукты не выдерживают конкуренции с внешне подобными, но менее надёжными. Покупатели просто считают их одинаковыми и выбирают более дешёвые аналоги, а производство качественных вещей становится принципиально невыгодным.

Если вам действительно нужен огромный ресурс перезаписи – ищите промышленные флэшки с SLC и SuperMLC чипами. Ссылки на них есть в статье. Вас трудно назвать аккуратным? Берите монолитные флэшки в стальном корпусе с фиксированным разъёмом. Расплатой будет сложная в ремонте конструкция. Нужна скорость? Покупайте модели от 64 Гб и желательно с MLC-чипами. Для требовательных к объёму задач вместо флэшки лучше взять внешний SSD, но это уже тема другой статьи.

Ссылка на основную публикацию
Файловая система для операционной системы windows
Вы знаете, что Windows Phone использует NTFS? Почему большинство карт памяти и почти все USB-накопители по-прежнему используют старый-добрый FAT? Почему...
Унитаз санита аттика отзывы
Перед тем как покупать Sanita Аттика хочется прочитать о нём отзывы владельцев, тех людей, кто уже купил и пользуется товаром...
Упал iphone полосы на экране
Узнайте, что делать. Если экран слишком чувствителен или не всегда реагирует на касания Перезапустите устройство. Убедитесь, что экран устройства чист,...
Файлы в карантине что с ними делать
содержит все нейтрализованные вредоносные программы в корзине в течение определенного периода времени до того момента, как применит к ним соответствующие...
Adblock detector